Optek OPB842W51Z
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
OptekOPB831W55Z
880nm Through-Beam 3.18mm 10ms Phototransistor wire mounting，base mount 16.13mm(height)
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB842W51Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
880nm Through-Beam 3.18mm 20ms Phototransistor wire mounting，base mount 23.75mm*12.95mm*10.54mm
Slotted Optical Switch, 3.18Mm, Panel; |Tt Electronics / Optek Technology OPB842W51Z
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Slotted Opt Switch
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
3.18 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin Bag
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 3.18MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel Mount; Gap Width: 3.18mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.7V; Product
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -23.22%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm
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