Optek OPB733TR
$ 3.365
Production
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3-Monats-Trend: +334%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date2009-03-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB733TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Sensor 0.4in to 1.0in
890nm Reflective 25.4mm 15¦Ìs,15¦Ìs Phototransistor , 7.62mm*4.06mm*2.89mm
PHOTO INTERRUPTER, REFLECTIVE, 25.4MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: SMD; Sensing Distance: 25.4mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 5V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Forward Voltage:
REFLECTIVE OBJECT SENSOR; Sensing Range:; REFLECTIVE OBJECT SENSOR; Sensing Range:10.2mm to 25.4mm; Output Current:20mA; Sensor Output:Phototransistor; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:5V; DC Collector Current:0.1mA; Input Current Max:20mA; Operating Temperature Max:85°C
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +334%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Fall Time15 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current20 mA
Max Input Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Voltage30 V
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output Current20 mA
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
Power Dissipation130 mW
Response Time15 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time15 µs
Sensing Distance25.4 mm
Viewing Angle50 °
Wavelength890 nm
Dimensions
Height2.89 mm
Length7.62 mm
Datenblätter und Dokumente
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