onsemi VEC2616-TL-W
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | VEC2616-TL-W | 0 | 5 | Cut Tape | 2h | |||||||
| Component Stockers USA | VEC2616-TL-W | 33.156 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-VEC2616-TL-W | 6.000 | 85 | 3h | ||||||||
| Worldway Electronics | VEC2616-TL-W | 29.288 | 7 | Tape & Reel | 2h | |||||||
| Aztech | VEC2616-TL-W | 11.460 | 3d |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-10-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiMCH6445-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI5935CDC-T1-E3
1.3W 8V 1V@ 250¦ÌA 11nC@ 5V 2P 20V 100m¦¸@ 3.1A,4.5V 4A 455pF@10V CHIPFET-8 3.05mm*1.65mm*1.1mm
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi VEC2616-TL-W, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
Complementary Power MOSFET 60V
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28
Pch+Nch 4V Drive Series Rohs Compliant: Yes
MOSFET, COMPLEMENT N & P, 60V, 3A, VEC-8; Transistor Polarity: N and P Complement; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Volt
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance505 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1 W
Rds On Max80 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.6 V
Dimensions
Height800 µm
Datenblätter und Dokumente
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