onsemi SS9018GBU
$ 0.029
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SS9018GBU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SS9018 Series 15 V 72 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
1.5 A, 25 V PNP Epitaxial Silicon Biplolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92
RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO-92-3
SS9018GBU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)15 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency1.1 GHz
hFE Min72
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation400 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency1.1 GHz
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen