Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi SFR9014TF herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiHUF76407D3S
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Diodes Inc.ZXMN6A25KTC
ZXMN6A25K Series N-Channel 60 V 0.05 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SFR9014TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
60V P-Channel A-FET / Substitute of IRFR9014
2LD PLAS, EXPOSED HEAT SINK <AZ
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max500 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Datenblätter und Dokumente
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