onsemi PZT2222AT1
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-05-23
LTD Date2011-11-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiPZT3904T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 200 mA, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
onsemiNSS40301MZ4T1G
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi PZT2222AT1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
NPN 1.5W 6V 10nA 75V 40V 600mA SOT-223 SMD mount 6.5mm*3.5mm*1.57mm
600 mA 40 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-261AA
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen