onsemi PZT2222A
Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 12 Jahren
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DZT2222A-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi PZT2222A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans General Purpose BJT NPN 40 Volt 1A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 Tape and Reel
PZT2222A Series 1 W 40 V 1 A Surface Mount NPN General Purpose Amplifier-SOT-223
500 mA, 40 V, NPN General Purpose Bipolar Junction Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA
BIPOLAR Transistor, (( TC )); Available until stocks are exhausted Alternative available
Bipolar Transistors - BJT SOT-223 NPN GEN PUR
Npn 75V Bjt Sot223 Sngl Rohs Compliant: Yes
NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.Sourced from Process 19.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188.014037 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current8 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min75
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency300 MHz
Voltage40 V
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen