onsemi NVR5124PLT1G
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVR5124PLT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 60 V 230 mOhm 2.3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
60V 1.1A 230mΩ@10V,3A 470mW P Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
onsemi Digital Transistor, SOT-23, SMD
MOSFETs; NVR5124PLT1G; ON SEMICONDUCTOR; -60 V; -1.1 A; 20 V; -470 mW
Cap Ceramic 68pF 50V C0G 5% SMD 0603 125C Paper T/R
Single P Channel Power MOSFET 60V, 1.1;
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
P-Channel JFET, -60V, -1.1A, 230m¦¸, TO-236
onsemi NVR5124PLT1G 抵抗内蔵トランジスタ
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +202%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance365 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation-470 mW
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time12.2 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen