onsemi NVMFS5C680NLT1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-03-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVMFS5C680NLT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
ON SEMICONDUCTOR - NVMFS5C680NLT1G - MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0229 ohm, 10 V, 2.2 V
Power MOSFET,N-Channel, 60 V, 21 A, 27.5 mΩ
onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 21 A, DFNencapsulation, surface mount, 5Pin
Trans MOSFET N-CH 60V 8.1A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Transistor MOSFET N-CH 60V 21A 5-Pin DFN T/R
Avnet Japan
N-Channel 60 V 8.1A (Ta), 21A (Tc) 3.4W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6)
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, DFN;
60V 21A 22.9m´Î@10V7.5A 24W 2.2V@13uA 5pF@25V N Channel 330pF@25V 2.7nC@4.5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) DFN-5 MOSFETs ROHS
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, DFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0229ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V; P
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance43 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.4 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen