onsemi NVMFS5C460NLAFT1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVMFS5C460NLAFT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 78A, 4.5mΩ Power MOSFET 40V 78A 4.5mOhm Single N-Channel SO-8FL
Mosfet, N-Ch, 40V, 78A, 175Deg C, 50W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMFS5C460NLAFT1G
3.6W(Ta),50W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 23nC@ 10 V 1N 40V 4.5m¦¸@ 35A,10V 21A,78A 1.3nF@25V SO
Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
NVMFS Series 40 V 4.5 mOhm 3.6 W Surface Mount N-Channel Power Mosfet - DFN-5
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN / N-Channel 40 V 21A (Ta), 78A (Tc) 3.6W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 78A, 175度 C, 50W;
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
40V 78A 3.7m´Î@10V35A 50W 2V@40uA 22pF@25V N Channel 1.3nF@25V 11nC@4.5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) DFN-5 MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)78 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen