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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-06-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NVJD5121NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual N−Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω

onsemi

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 / Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Win Source

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 300mA 6-Pin SC-88 T/R

Avnet Japan

2W 20V 2.35V@ 25uA 10nC@ 4.5V 2individualNChannel 30V 16.4mΩ@ 9.1A,10V 9.1A；11A 850pF@15V SC-88 SMD mount 2mm*1.25mm*1.1mm

UnikeyIC

MOSFET, AUTO, DUAL N-CH, 60V, SOT-363; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 295mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation Pd: 250mW; Transistor Case Style: SOT-363; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +4.92%

CAD-Modelle

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Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

MountSurface Mount

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)295 mA

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance1.6 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Fall Time32 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance26 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation250 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation250 mW

Rds On Max1.6 Ω

Rise Time34 ns

Schedule B8541210080

Turn-Off Delay Time34 ns

Turn-On Delay Time22 ns

Dimensions

Height1.1 mm