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Lieferkette

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-09-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NVF6P02T3G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single P-Channel Power MOSFET -20V, -10A, 50mΩ Automotive Version of the NTF6P02.

onsemi

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 / P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)

Win Source

NVF6P02T3G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8.4 A, 20 V, 3 + TAB-PIN SOT-223

RS (Formerly Allied Electronics)

NVF6P02 Series 20 V 10 A Surface Mount Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Richardson RFPD

onsemi P-Ch MOSFET, Vds=20V, 8.4A, SOT-223, SMD, 3-Pin

UnikeyIC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NVF6P02T3G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +5.21%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-223-4

Number of Pins4

Number of Terminals4

Technical

Continuous Drain Current (ID)10 A

Drain to Source Breakdown Voltage-25 V

Drain to Source Resistance50 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time60 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance1.2 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation8.3 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation8.3 W

Rds On Max50 mΩ

Rise Time30 ns

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Dimensions

Height1.65 mm

Length6.7 mm

Width3.7 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NVF6P02T3G herunter.