onsemi NVD5C464NT4G
$ 1.048
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | NVD5C464NT4GOSCT-ND | 4.414 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | NVD5C464NT4G | 2.018 | 2500 | 18h | ||||||||
| Newark | NVD5C464NT4G | 2.453 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NVD5C464NT4G | 4.252 | 298 | |||||||||
| Rochester Electronics | NVD5C464NT4G | 4.252 | 15h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +27.46%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVD5C464NT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET, 40V, 59A, 5.8mΩ DPAK 2500 tape and reel
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 59 A, 40 V, 3 + Tab-Pin DPAK ON Semiconductor NVD5C464NT4G
Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK / N-Channel 40 V 16A (Ta), 59A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 40V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NMOS NVD5C464N, Vds=40 V, 59 A, DPAK (TO-252), , 3
MOSFET, N-CH, 40V, 59A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 59A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)59 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen