onsemi NVBLS0D5N04CTXG
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVBLS0D5N04CTXG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mΩ, Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mΩ, Single N-Channel
N-Channel 40 V 65 A 4.3 W Surface Mount Power Mosfet - HPSOF-8
N-Ch MOSFET 40V 570μΩ@50A,10V 12.6nF@25V 185nC@10V 4V@475µA 20V/16V 4.3W(Ta)/198.4W(Tc) HPSOF-8 SMD
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 300A, 175度C, 198.4W;
MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEGC, 198.4W;
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.57ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
MOSFET, N-CH, 40V, 300A, H-PSOF;
MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
40V 300A 0.5m´Î@10V50A 198.4W 2.8V@475Ã×A 227pF@25V N Channel 12.6nF@25V 185nC@10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) HPSOF-8L MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance570 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation198.4 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.3 W
Turn-Off Delay Time164 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen