onsemi NVBG020N090SC1
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NVBG020N090SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
200nC@ 15 V 3.7W(Ta),477W(Tc) 4.415nF@450V 28m¦¸@ 60A,15V 900V 4.3V@20mA 19V 1N D2PAK-7
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
SiC Power MOSFET N-Channel 900V 112A 7-Pin D2PAK Surface Mount
Avnet Japan
N-Channel 900 V 112 A 477 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - D2PAK-7L
900V 112A 16m´Î@18V60A 477W 2.6V@20mA 25pF@450V N Channel 4.415nF@450V 200nC@-5~15V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) D2PAK-7L MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 900V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB
SIC MOSFET, N-CH, 900V, 112A, TO-263-7; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:112A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. of Pins:7Pins; Rds(on) Test Voltage:15V; Power Dissipation:477W RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)112 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation477 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height4.9 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen