onsemi NTUD3128NT5G
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-03-31
LTD Date2012-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTUD3129PT5G
Small Signal MOSFET −20 V, −180 mA, Dual P−Channel,1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
onsemiNTUD3171PZT5G
NTUD3171PZ: Small Signal MOSFET 20V 200mA 5 Ohm Dual P-Channel SOT-963 with ESD
Diodes Inc.DMN26D0UDJ-7
Dual Mosfet, N-Ch, 20V, 0.24A, Sot-963 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN26D0UDJ-7
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTUD3128NT5G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal MOSFET 20V 200 mA 3000 mOhm Dual N-Channel SOT-963
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) Dual Mosfet Array 9pF @ 15V 160mA 125mW 24ns
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 160mA 6-Pin SOT-963 T/R
160 mA 20 V 2 CHANNEL N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
MOSFETs- Power and Small Signal SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT-963
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-963
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance9 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation125 mW
Rds On Max3 Ω
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen