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Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTS4409NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 25V, 750mA, 350mΩ

onsemi

NTS4409NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.7 A, 25 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=25 V, 700 mA, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin

UnikeyIC

MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 / Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A 3-Pin SC-70 T/R

Win Source

N-Channel 25 V 249 mOhm 280 mW Surface Mount Small Signal MOSFET - SOT-323

Future Electronics

MOSFET, N, 25V, SOT-323; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 750mA; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5V; Power

Farnell

Bilder

RS APAC

Augswan

RS (Formerly Allied Electronics)

South Microelectronics

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -11.56%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-323

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)700 mA

Current Rating700 mA

Drain to Source Breakdown Voltage25 V

Drain to Source Resistance350 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)25 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time8.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance60 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation330 mW

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation280 mW

Rds On Max350 mΩ

Resistance249 MΩ

Rise Time8.2 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage650 mV

Turn-Off Delay Time23 ns

Turn-On Delay Time5 ns

Voltage Rating (DC)25 V

Dimensions

Height1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTS4409NT1G herunter.