onsemi NTMFS5H600NLT1G
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMFS5H600NLT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 60V 250A 5-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: NTMFS5H600NLT1G)
Single N Channel Power MOSFET 60V, 250A, 1.3mΩ Power MOSFET 60V 250A 1.3 mOhm Single N Channel SO-8FL Logic Level
NTMFS5H600NL Series 60 V 1.3 mOhm 250 A N-Channel Power Mosfet - DFN-5
MOSFET, N-CH, 60V, 250A, DFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 250A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 160W; Transistor Case Style: DFN; No. of Pins: 5Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41.6 ns
Turn-On Delay Time29.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen