onsemi NTMFS4983NFT1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Verwandte Teile
onsemiNTMFS4835NT3G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 130A Tc 20A 62.5W 13ns
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMFS4983NFT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30 V 2.1 mOhm 1.7 W Surface Mount Power Mosfet - SO-8 FL
Nfet So8Fl 30V 160A 2.1Mo/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4983NFT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 106A, 2.1mΩ
1.7W(Ta) 20V 2.3V@1mA 47.9nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 2.1mΩ@ 30A,10V 22A，106A 3.25nF@15V SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
MOSFET, N-CH, 30V, 30A, SO-8FL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time24.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28.7 ns
Turn-On Delay Time13.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen