onsemi NTLJS1102PTBG

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:8.1A; Drain Source Voltage, Vds:-8V; On Resistance, Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-720mV; Power Dissipation, Pd:3.3W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage-8 V

Drain to Source Resistance36 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)8 V

Fall Time70 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)6 V

Input Capacitance1.585 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation3.3 W

Min Breakdown Voltage8 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation3.3 W

Rds On Max36 mΩ

Resistance36 mΩ

Rise Time41 ns

Turn-Off Delay Time80 ns

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTLJS1102PTBG herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren

onsemi

Compliance

Umweltklassifizierung

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Rohs Statement3 SeitenVor 5 Jahren

Reach Statement8 SeitenVor 11 Jahren

Rohs StatementN/AN/A