onsemi NTLJS1102PTAG
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
VishaySI2329DS-T1-GE3
VISHAY SI2329DS-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -6 A, -8 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -350 mV
VishaySIB437EDKT-T1-GE3
MOSFET, P CH, ESD, 8V, 9A, PPK SC75; Transistor Polarity:P Channel; Continuous D
InfineonBF2030E6814
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Rochester ElectronicsBF2040RE6814
Power Field-Effect Transistor, 0.04A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTLJS1102PTAG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 8V 8.1A 36 mOhm Single P-Channel WDFN2x2
Trans MOSFET P-CH 8V 8.1A 6-Pin WDFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 3.7A Ta 3.7A 3.3W 70ns
NTLJS1102PTAG, SINGLE MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance1.585 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max36 mΩ
Rise Time41 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen