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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-01-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTJD5121NT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

NTJD5121NT1G DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.3 A, 60 V, 6-PIN SC-88

RS (Formerly Allied Electronics)

Dual N−Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω

onsemi

Dual N-Channel 60 V 1.6 Ohm 250 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-363

Future Electronics

MOSFET, DUAL N CH, 60V, 304MA, SOT-363-6; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 304mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage V

Farnell

Bilder

Farnell

element14 APAC

Farnell

Rochester Electronics

Electro Sonic

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTJD5121NT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -8.76%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)295 mA

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance1.6 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationDual

Fall Time32 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance26 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation250 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.7 V

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation250 mW

Rds On Max1.6 Ω

Resistance1.6 Ω

Rise Time34 ns

Threshold Voltage1.7 V

Turn-Off Delay Time34 ns

Turn-On Delay Time22 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm