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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTJD4152PT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V -0.88A 260mΩ

onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 / Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R

Win Source

MOSFET, DUAL P-CH, VDSS -20V, RDS(ON) 215 MILLIOHMS, ID -0.88A, SC-88/SOT-363,GFS 3S

RS (Formerly Allied Electronics)

Dual P-Channel 20 V 215 mOhm 272 mW Surface Mount Small Signal MOSFET SOT-363

Future Electronics

PFET SC88 0.88MA 20V TR; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: 880mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.215ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.2V;

Farnell

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

NTJD4152PT1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +5.94%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)880 mA

Current Rating-880 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance260 mΩ

Element ConfigurationDual

Fall Time6.5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance155 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation350 mW

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation272 mW

Rds On Max260 mΩ

Resistance215 MΩ

Rise Time6.5 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1.2 V

Turn-Off Delay Time13.5 ns

Turn-On Delay Time5.8 ns

Voltage Rating (DC)-20 V

Dimensions

Height990.6 µm

Length2.1844 mm

Width1.3462 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTJD4152PT1G herunter.