onsemi NTHD3133PFT1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
onsemiNTHS5443T1
1.3W 12V 1individualPChannel 20V 56mΩ 4.9A CHIPFET-8 SMD mount，glue mount 3.05mm*1.65mm*1.05mm
VishaySI5933CDC-T1-GE3
SI5933CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 20 V, 8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5513CDC-T1-GE3
Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 O Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTHD3133PFT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 20V 4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET with Schottky Diode
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 3.2A Tj -4.4A 1.1W 11.7ns
1.1W(Ta) 8V 1.5V@ 250µA 7.4nC@ 4.5V 1individualPChannel 20V 80mΩ@ 3.2A,4.5V 3.2A 680pF@10V CHIPFET-8 SMD mount 3.05mm*1.65mm*1.05mm
NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Fall Time11.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time11.7 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time5.8 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen