onsemi NTHD2102PT1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTHD2102PT1 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-07-31
LTD Date2010-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTHD5905T1
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 8V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTHD2102PT1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 8V 4.6A 62 mOhm Dual P-Channel ChipFET
MOSFETs- Power and Small Signal -8V -4.6A P-Channel No-Cancel/No-Return
3.4 A 8 V 0.058 ohm 2 CHANNEL P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 8V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET-8 SMD
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2P-Channel (Dual) SEPARATE 2ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Array 16nC @ 2.5V 3.4A 1.1W 20ns
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance715 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-8 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NTHD2102PT1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen