onsemi NTH4L160N120SC1

Name: onsemi NTH4L160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L160N120SC1

Transistor MOSFET N-Channel 1200V 27.3A 4-Pin TO-247 Tube

$ 4.38

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NTH4L160N120SC1	528	188					3,632	3,594	5d
Future Electronics	2	NTH4L160N120SC1	333	5	Tube		4,860	4,680	4,500	4,500
Newark		NTH4L160N120SC1	90	1		4,570	4,570	4,570	4,570	4,570
Verical	3	NTH4L160N120SC1	369	2			3,744	3,744	3,744	3,744
Arrow Electronics		NTH4L160N120SC1	30	1		3,744	3,744	3,744	3,744	3,744

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren

Farnell

Future Electronics

TME

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-08-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NTH4L160N120SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET N-Channel 1200V 27.3A 4-Pin TO-247 Tube

Avnet Japan

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 1200V, 0.224ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 17.3A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.3A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:111W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L160N120SC1

Newark

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: