onsemi NTH4L080N120SC1
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTH4L080N120SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 1200V 50.4A 4-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4 / N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 29A 80m´Î@20V20A 170W 2.75V@5mA 6.5pF@800V N Channel 1.112nF@800V 56nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 29A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:170W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L080N120SC1
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.8 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen