onsemi NTH4L040N120SC1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-01-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTH4L040N120SC1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4 / N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1200V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 58A 40m´Î@20V35A 319W 3V@10mA 11pF@800V N Channel 1.762nF@800V 106nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 58A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:319W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L040N120SC1
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation319 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation319 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen