onsemi NTB30N20T4G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-10-08
LTD Date2012-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS31N20DTRLP
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
InfineonIRFS31N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
InfineonIRFS31N20DTRRP
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
STMicroelectronicsSTB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK / N-Channel 200 V 30A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTB30N20T4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 200V 30A 81 mOhm Single N-Channel D2PAK
Transistor MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
MOSFETs- Power and Small Signal 200V 30A N-Channel
30 A 200 V 0.081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):81mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.9V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating30 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance81 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time88 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.335 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Rds On Max81 mΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen