onsemi NSS12200LT1G
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNSS40200LT1G
40V 460mW 220@500mA,2V 2A PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemiNSS60200LT1G
ON SEMI NSS60200LT1G PNP LOW SATURATION BIPOLAR TRANSISTOR,2 A,60V,3-PIN SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NSS12200LT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NSS12200L Series 12 V 2 A 460 mW Low VCE(sat) PNP Transistor - SOT-23-3
12V 460mW 2A PNP SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
180mV@ 200mA,2A PNP 540mW 7V 100nA 12V 12V 2A SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*940¦Ìm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Transistor, Pnp, -12V, -2A, Sot-23; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-12V; Transition Frequency Ft:100Mhz; Power Dissipation Pd:460Mw; Dc Collector Current:-2A; Dc Current Gain Hfe:250Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi NSS12200LT1G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min150
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation540 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen