onsemi NJW1302G
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NJW1302G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT PNP 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube / TRANS PNP 250V 15A TO-3P
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ON SEMI NJW1302G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 15 A, 250 V, 3-PIN TO-3P
Bipolar Power Junction Transistors, Complementary, 15 A, 250 V PNP
NJW Series 250 V 15 A Complementary PNP Silicon Power Transistor - TO-3P
onsemi PNPTransistor, TO-3Pencapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-15 A, maximum collector-emission voltage-250 V
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 250V; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -250V; Transition Frequency ft: 30MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: -15A; DC Current Gain hFE: 45hFE; Transistor
The superior gain linearity and safe operating area performance of these complementary transistors make them ideal for high fidelity audio amplifier output stages and other linear applications.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-218-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min45
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current15 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen