onsemi NJVMJB41CT4G
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NJVMJB41CT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
ON SEMI NJVMJB41CT4G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 6 A, 100 V, 3-PIN D2PAK
Trans GP BJT NPN 100V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
6.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
NJVMJB Series NPN 65 W 100 V 6 A Surface Mount Power Transistor - TO-263-3
D2PAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, D2PAK (TO-263)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current6 A, maximum collector-emission voltage100 V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.02%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current6 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.29 mm
Width11.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen