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onsemi NDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
Obsolete
Datenblatt
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Component Search
NDS351N
710
8h
Win Source
WS-NDS351N
6.200
290
USD
0,166
0,135
8h
Worldway Electronics
NDS351N
29.057
7
Tray
USD
0,091
0,089
0,085
0,084
6h
Fmall Co., Limited
NDS351N
14.220
USD
0,125
0,125
0,117
0,110
0,101
>1w
Anlinkda
NDS351N
43.703
USD
0,265
0,237
0,196
0,196
0,185
5h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 28 Jahren

Farnell

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

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N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V, 1.4A, 160mΩ
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InfineonIRLML9303TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS
Details
InfineonIRLML2803GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDS351N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
onsemi
30V 1.1A 500mW 160m´Î@10V1.4A 2V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Mosfet, N-Ch, 30V, 1.1A, Supersot-3; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:1.1A; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N SOT-23; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:1.1A; Resistance, Rds on:0.2ohm; Case style:SOT-23 (TO-236); Current, Idm pulse:10A; Depth, external:2.5mm; Length / Height, external:1.12mm; Marking, SMD:351; Pins, No. of:3; Power dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:SMD; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:30V; Voltage, Vgs th max:2V; Width, external:3.05mm; Width, tape:8mm
Farnell
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Newark
RS
Farnell
Newark
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDS351N.