Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NDS335N | 8.797 | 1713 | |||||||||
| Rochester Electronics | NDS335N | 71.091 | 9h | |||||||||
| Microchip USA | NDS335N | 384 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Win Source | WS-NDS335N | 3.000 | 440 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | NDS335N | 28.204 | 7 | Bulk | 2d |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi NDS335N herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NDS335N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
500mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 9nC@ 4.5V 1N 20V 110m¦¸@ 1.7A,4.5V 240pF@10V SUPERSOT-3 2.92mm*1.4mm*1.12mm
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance240 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation460 mW
Rds On Max110 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.12 mm
Datenblätter und Dokumente
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