onsemi MSD602-RT1G

Name: onsemi MSD602-RT1G
Brand: onsemi
SKU: MSD602-RT1G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

$ 0.043

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	MSD602-RT1G	2.690	3K						0,018	7h
Arrow Electronics		MSD602-RT1G	9	1		0,032	0,032	0,032	0,032	0,032
Future Electronics	2	MSD602-RT1G	3.000	3K	Tape & Reel					0,024
DigiKey	2	MSD602-RT1GOSCT-ND	2.404	1	Cut Tape	0,180	0,112	0,069	0,044	0,044
Flip Electronics		MSD602-RT1G	2.690								6d

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 11 Jahren

Upverter

Master Electronics

DigiKey

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onsemiMSD602-RT1G

onsemiMSD602-RT1

Price @ 1000

$ 0.043

$ 0.025

Stock

403,187

422,331

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

500 mA

Transition Frequency

200 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFE Min

Power Dissipation

200 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-07-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MSD602-RT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

IHS

MSD602 Series 50 V 500 mA NPN General Purpose Amplifier Transistor - TO-39

Future Electronics

600mV@ 30mA,300mA NPN 200mW 7V 100nA 60V 50V 500mA SC-59 2.9mm*1.5mm*1.09mm

UnikeyIC

TRANS, NPN, 50V, 0.5A, 0.2W, SC-59; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transisto

Farnell

Bipolar Transistor, Npn, 50V; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:500Ma; Power Dissipation:200Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MSD602-RT1G

Newark

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MSD602RT1G

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSC

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)60 V

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)7 V

hFE Min40

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current500 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation200 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation200 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

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