onsemi MSC2295-CT1G
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Stock
262,305
278,804
278,804
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
TO-236-3
TO-236-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
20 V
20 V
20 V
Max Collector Current
30 mA
30 mA
30 mA
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
-
hFE Min
110
70
70
Power Dissipation
200 mW
200 mW
200 mW
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1996-07-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
ROHMSST6838T216
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC125TKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MSC2295-CT1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
Bipolar Transistors - BJT 30V RF NPN
Trans RF BJT NPN 20V 0.03A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
NPN RF Amplifier Transistors Surface Mount
200mW 5V 30V 20V 30mA SC-59-3 SMD mount，glue mount 2.9mm*1.5mm*1.09mm
MSC2295-CT1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Current Rating30 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min110
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)20 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen