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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1977-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MPSH11, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
NPN 350mW 3V 30V 25V 50mA TO-92-3 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V; Transistor
Transistor; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):60; Package/Case:3-TO-92; C-E Breakdown Voltage:25V; DC Collector Current:0.05A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
NPN RF Transistor This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100 mA to 10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers. Sourced from Process 47.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight195 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
hFE Min60
Max Collector Current25 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Output Power50 mW
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation310 mW
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen