This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61. See MPSA64 for characteristics.

Fairchild Semiconductor

Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Power Dissipation, Pd:0.625W; DC Current Gain Min (hfe):10000; Package/Case:TO-92; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

DARLINGTON TRANSISTOR, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:125MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Av Current Ic:300mA; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:1.2A; Current Ic Continuous a Max:1.2A; Current Ic hFE:100mA; Device Marking:MPSA63; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:125MHz; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:b; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:30V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MPSA 63

Bestandsverlauf

Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-92

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight201 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)-30 V

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V

Continuous Collector Current-500 mA

Current Rating-1.2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V

hFE Min5000

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current300 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation625 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityPNP

Power Dissipation625 mW

TerminationThrough Hole

Transition Frequency100 MHz

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height5.33 mm

Length5.2 mm

Width4.19 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MPSA63 herunter.

IHS

Datasheet4 SeitenVor 16 Jahren

Datasheet1 SeiteVor 0 Jahren

Datasheet2 SeitenVor 25 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Datasheet4 SeitenVor 0 Jahren

onsemi

iiiC

Farnell

Fairchild Semiconductor

Compliance

Umweltklassifizierung

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCAffected

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Rohs Statement3 SeitenVor 5 Jahren

Reach Statement8 SeitenVor 11 Jahren

Rohs Statement1 SeiteVor 13 Jahren

Rohs Statement1 SeiteVor 14 Jahren

Reach Statement2 SeitenVor 13 Jahren

Rohs StatementN/AN/A