onsemi MMBFJ211
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 years ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MMBFJ211, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
225mW 25V 1individualNChannel SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1mm
25V N-CH JFET SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
RF JFET Transistors NCh RF Transistor
IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET
This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where Process 50 is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90.
RF FET, N-CH, SOT-23; Drain Source Voltage Vds: -; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: -; Operating Frequency Max: -; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Tempe
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-25 V
Continuous Drain Current (ID)20 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation225 mW
Voltage Rating25 V
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.11 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen