onsemi MJE5851G
$ 1.558
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MJE5851G herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie onsemi MJE5851G Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.558
$ 1.05
Stock
195,828
111,057
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
5 V
hFE Min
5
5
Power Dissipation
80 W
80 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJE5851G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
350V 80W 8A 5@5A5V PNP 5V@8A3A -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
8.0 A, 350 V PNP Bipolar Power Transistor
8.0 A, 400 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
5V@ 3A,8A PNP 80W 6V 400V 350V 8A TO-220 Through hole mounting 10.53mm*4.83mm*15.75mm
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO-220;
Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
The MJE5850 MJE5851 and the MJE5852 transistors are designed for high-volt age high-speed power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for line operated switchmode applications such as:
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating-8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min5
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)-350 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MJE5851G herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen