onsemi MJE243G

Name: onsemi MJE243G
Brand: onsemi
SKU: MJE243G

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Power, Vceo 100VDC, IC 4A, Pd 15W, TO-225, Vcbo 100VDC

$ 0.331

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MJE243G	992	500					0,291	0,278	6d
Future Electronics		MJE243G	500	50	Box			0,425	0,400	0,385
Newark		MJE243G	5.175	1		1,180	0,779	0,581	0,414	0,414
Verical	2	MJE243G	2.500	500					0,339	0,322
Arrow Electronics		MJE243G	12.643	1		0,688	0,439	0,403	0,268	0,268

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 11 Jahren

Upverter

JRH Electronics

Farnell

Newark

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onsemiMJE243G

onsemiMJE243

Price @ 1000

$ 0.331

$ 0.263

Stock

1,026,438

55,842

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

TO-225

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

100 V

Max Collector Current

4 A

Transition Frequency

40 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFE Min

Power Dissipation

15 W

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1991-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJE243G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 100VDC, IC 4A, PD 15W, TO-225,VCBO 100VDC

RS (Formerly Allied Electronics)

4.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

Bipolar Transistors (BJT); MJE243G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 4 A

Maritex

100V 1.5W 40@200mA,1V 4A NPN TO-225 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Bipolar Transistor NPN 100V 4A 40MHz 1.5W Through Hole TO-126

Jameco

MJE Series 100 V 5 A NPN Complementary Silicon Power Plastic Transistor - TO-225

Future Electronics

Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

Verical

COMPLEMENTARY SILICON POWER PLASTIC TRANSISTORS Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin

ComSIT Distribution GmbH

TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, TO-225,; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 40MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transisto

Farnell

Rf Transistor, Npn, 100V, 40Mhz, To-225; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:100V; Frecuencia De Transición Ft:40Mhz; Disipación De Potencia Pd:15W; Corriente De Colector Dc:4A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:40 |Onsemi MJE243G

Newark

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MJE 243G
MJE243G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-225

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)100 V

Collector Emitter Breakdown Voltage100 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V

Current Rating4 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)7 V

Frequency40 MHz

Gain Bandwidth Product40 MHz

hFE Min15

Max Collector Current4 A

Max Frequency40 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.5 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Schedule B8541290080

Transition Frequency40 MHz

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height11.0998 mm

Length7.7978 mm

Width2.9972 mm

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