onsemi MJD2955-1G
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-02-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiMJD2955-001
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 20 @ 4A 4V 50muA 1.75W 2MHz
onsemi2SB1204T-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MJD2955-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 20 @ 4A 4V 50muA 1.75W 2MHz
10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
PNP 20W 5V 50μA 70V 60V 10A TO-252-3 Through hole mounting 6.73mm*6.22mm*2.38mm
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ, ft:2MHz; Power Dissipation Pd:20W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)70 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen