onsemi MJD117-1G

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.251
EOL
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Verical
2
MJD117-1G48.0381198
Rochester ElectronicsMJD117-1G128.429
19h
Microchip USAMJD117-1G2463500Tray
4d
Win SourceWS-MJD117-1G1.160105
20h
Worldway ElectronicsMJD117-1G25.4867Bulk
19h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi MJD117-1G herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 4 Jahren

Upverter

Newark

onsemi

Arrow Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-7.38%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi MJD117-1G Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

Verwandte Teile

onsemi2SA1593T-E
Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Details
onsemi2SA1593S-E
Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Details
onsemi2SA2205-E
Bipolar Transistor, -100V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single TP/TP-FA
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MJD117-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
Transistor Darlington Pnp 100 Volt 2 Amp 3-Pin3+ Tab Dpak-SL Rail
Jameco
MJD Series 100 V 2 A Through Hole PNP Complementary Darlington Transistor
Future Electronics
Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:100V; Dc Collector Current:2A; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:25Mhz; Dc Current Gain Hfe:12Hfe Rohs Compliant: Yes
Newark
Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
North Star Micro

Bilder

Farnell
Augswan
Newark
RS
Future Electronics
Rochester Electronics
Jameco

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD117-1G.