onsemi MGSF1N02LT1
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2009-07-31
LTD Date2010-01-31
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MGSF1N02LT1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23 / N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET, N SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 750mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipatio
750 MILLI AMP, 20 VOLT N-CHANNEL POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
400mW(Ta) 20V 2.4V@ 250µA 6nC 1individualNChannel 20V 90mΩ@ 1.2A,10V 750mA 125pF@5V SOT-23-3，TO-236 SMD mount 2.9mm*1.3mm*940μm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)750 mA
Current Rating750 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance125 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation400 mW
Rds On Max90 mΩ
Rise Time1 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen