onsemi MCH6337-TL-W
$ 0.115
Production
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | MCH6337-TL-W | 63 | 1 | |||||||||
| Avnet | MCH6337-TL-W | 5.353 | 1 | 2d | ||||||||
| Rochester Electronics | MCH6337-TL-W | 3.000 | 23m | |||||||||
| Flip Electronics | MCH6337-TL-W | 5.353 | 6d | |||||||||
| Farnell | MCH6337-TL-W | 0 | 3K | Tape & Reel | 1d |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
VishaySI5513CDC-T1-GE3
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SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MCH6337-TL-W, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel Power MOSFET -20V, -4.5A, 49mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin MCPH T/R
Pch 1.8V Drive Series/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi MCH6337-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
20V 4.5A 37m´Î@4.5V3A 1.5W 1.3V@1mA 94pF@10V P Channel 670pF@10V 7.3nC@4.5V +150¡Í@(Tj) SOT-363-6 MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance49 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance670 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time69 ns
Turn-On Delay Time8.4 ns
Dimensions
Height900 µm
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