onsemi MCH3474-TL-W
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
onsemiMCH6341-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI5468DC-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MCH3474-TL-W, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 50mΩ
Mosfet Transistor, N Channel, 4 A, 30 V, 0.038 Ohm, 4.5 V, 1.3 V Rohs Compliant: Yes |Onsemi MCH3474-TL-W
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin MCPH T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET
30V 4A 38m´Î@4.5V2A 1W 1.3V@1mA 83pF@10V N Channel 430pF@10V 4.7nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SC-70FL MOSFETs ROHS
MOSFET N-CH 30V 4A SC70FL/MCPH3
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IC FLASH 32MBIT SPI 100MHZ 8UDFN
MOSFET, N-CH, 30V, 4A, SC-70-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.3V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance430 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max50 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.3 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height900 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen