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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-04-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MBT2222ADW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar Transistor Array, General Purpose, Dual NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW

Avnet Silica

ON SEMI MBT2222ADW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 40 V, 6-PIN SOT-363

RS (Formerly Allied Electronics)

General Purpose Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

MBT Series 40 V 600 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-363

Future Electronics

onsemi NPN Transistor SOT-363 (SC-88) SMD Ic 600 mA Vceo 40 V

UnikeyIC

600 mA 40 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Component Stockers USA

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MBT2222ADW1T1G.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -64.13%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)75 V

Collector Emitter Breakdown Voltage40 V

Collector Emitter Saturation Voltage1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V

Current Rating600 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency300 MHz

Gain Bandwidth Product300 MHz

hFE Min75

Max Breakdown Voltage40 V

Max Collector Current600 mA

Max Frequency300 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation150 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency300 MHz

Voltage Rating (DC)40 V

Dimensions

Height1.1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm