onsemi KST55MTF
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.MMBTA55-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT2907A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
ROHMSST2907AT116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KST55MTF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
PNP 350mW 4V 100nA 60V 60V 500mA SOT-23-3 SMD mount 2.92mm*1.3mm*930μm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-4 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen