onsemi KSP13TA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
onsemiMPSA14RLRA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSP13TA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
500 mA, 30 V NPN Darlington Bipolar Junction Transistor
10000@5V,100mA 30V NPN 500mA 625mW TO-92-3 Darlington Transistors ROHS
Trans Darlington NPN 30V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Transistor, Npn, 30V, 0.5A, To-92-3; |Onsemi KSP13TA
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.5A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 10000hFE;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height8.77 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen