onsemi KSC815YTA
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSC815YTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Transistor,bjt,npn,45V V(Br)Ceo,200Ma I(C),to-92 Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSC815YTA
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 400mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
400mV@ 15mA,150mA NPN 400mW 5V 100nA 60V 45V 200mA TO-92-3 4.7mm*3.93mm*4.7mm
NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation400 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen